公司沿革

22-Oct-2022策略伙伴参与投资及化合物组件合作计划
22-Sep-2022超高压(3300V~6600V)SiC研发验证
22-Aug-2022GaN IC工程样品测试验证
22-Jun-2022首颗SiC MOSFET量产
22-May-2022超小封装(1.2x1.2mm)DC-DC
22-Mar-2022首颗AC-DC电源转换IC量产
22-Feb-2022首颗SiC SBD量产
20-Oct-2022化合物半导体实验室筹备处成立
20-Aug-2022超高PF及高效率多阶LED驱动IC验证完成
20-Jul-2022小封装HV DC-DC (563)
19-Mar-2022低静态功耗降压DC-DC量产
19-Feb-2022低静态功耗电升压IC量产
18-May-2022首颗负载开关IC量产
17-Oct-2022高压超低功耗LDO量产
16-Sep-2022首颗MOSFET设计投片
14-Jun-2022首颗高压升压IC量产
14-Mar-2022首颗超低压升压IC量产
13-Dec-2022超威小封装(1x1mm)LDO量产
13-Oct-2022高压DC-DC带输入过压保护量产
09-Feb-2022首颗高压DC-DC量产
08-Dec-2022白光LED驱动IC完成
08-Mar-2022第一颗DC-DC量产
07-Mar-2022第一颗LDO产品量产
06-May-2022公司成立